WMB60P03TA Todos los transistores

 

WMB60P03TA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB60P03TA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB60P03TA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:626K  way-on
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WMB60P03TA

WMB60P03TA 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB60P03TA uses advanced power trench technology that has D DDD DDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and D Dyet maintain superior switching performance. Gssss sGsFeatures V = -30V, I = -60A DS DPDFN5060-8LR

 7.1. Size:617K  way-on
 wmb60p02ts.pdf pdf_icon

WMB60P03TA

WMB60P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB60P02TS uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -20V, I = -60A DS DR

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History: OSG60R180HSF | WMB70N04T1 | PJM2319PSA | 2SK3376MFV | WSP4606 | 2SK2549 | AOB190A60L

 

 
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