Справочник MOSFET. WMB60P03TA

 

WMB60P03TA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB60P03TA
   Маркировка: B60P03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB60P03TA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB60P03TA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:626K  way-on
 wmb60p03ta.pdf pdf_icon

WMB60P03TA

WMB60P03TA 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB60P03TA uses advanced power trench technology that has D DDD DDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and D Dyet maintain superior switching performance. Gssss sGsFeatures V = -30V, I = -60A DS DPDFN5060-8LR

 7.1. Size:617K  way-on
 wmb60p02ts.pdf pdf_icon

WMB60P03TA

WMB60P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB60P02TS uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -20V, I = -60A DS DR

Другие MOSFET... WMB46N03T1 , WMB50P03TS , WMB50P04TS , WMB510N15HG2 , WMB52N03T2 , WMB56N04T1 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS , IRF9640 , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 , WMB70P02TS , WMB80N06TS , WMB80P04TS , WMB81N03T1 , WMB90N02TS , WMB90P03TS .

 

 
Back to Top

 


 
.