WMB60P03TA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMB60P03TA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: PDFN5060-8L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
WMB60P03TA Datasheet (PDF)
wmb60p03ta.pdf

WMB60P03TA 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB60P03TA uses advanced power trench technology that has D DDD DDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and D Dyet maintain superior switching performance. Gssss sGsFeatures V = -30V, I = -60A DS DPDFN5060-8LR
wmb60p02ts.pdf

WMB60P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMB60P02TS uses advanced power trench technology that has D DDDDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gmaintain superior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -20V, I = -60A DS DR
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: ZVP0535A
History: ZVP0535A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t