WMB690N15HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB690N15HG2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de WMB690N15HG2 MOSFET
WMB690N15HG2 Datasheet (PDF)
wmb690n15hg2.pdf

WMB690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the GsssssGson-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN50
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History: APTM120DA30CT1G | NTTFS4937NTAG | NCE3007S | NTMSD6N303R2 | SLP7N70C | SMF2N60 | 2SK4103
History: APTM120DA30CT1G | NTTFS4937NTAG | NCE3007S | NTMSD6N303R2 | SLP7N70C | SMF2N60 | 2SK4103



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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