WMB690N15HG2 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WMB690N15HG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB690N15HG2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

Búsqueda de reemplazo de WMB690N15HG2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

WMB690N15HG2 datasheet

..1. Size:472K way-on
wmb690n15hg2.pdf pdf_icon

WMB690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMB690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the G ss s ss G s on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN50

Otros transistores... WMB50P03TS, WMB50P04TS, WMB510N15HG2, WMB52N03T2, WMB56N04T1, WMB58N03T1, WMB60P02TS, WMB60P03TA, EMB04N03H, WMB70N04T1, WMB70P02TS, WMB80N06TS, WMB80P04TS, WMB81N03T1, WMB90N02TS, WMB90P03TS, WMB90P04TS

🌐 : EN ES РУ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

WMB690N15HG2 Todos los transistores