WMB690N15HG2 - описание и поиск аналогов

 

WMB690N15HG2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB690N15HG2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB690N15HG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB690N15HG2 даташит

 ..1. Size:472K  way-on
 wmb690n15hg2.pdf pdf_icon

WMB690N15HG2

WMB690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMB690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the G ss s ss G s on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN50

Другие IGBT... WMB50P03TS, WMB50P04TS, WMB510N15HG2, WMB52N03T2, WMB56N04T1, WMB58N03T1, WMB60P02TS, WMB60P03TA, EMB04N03H, WMB70N04T1, WMB70P02TS, WMB80N06TS, WMB80P04TS, WMB81N03T1, WMB90N02TS, WMB90P03TS, WMB90P04TS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.