Справочник MOSFET. WMB690N15HG2

 

WMB690N15HG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB690N15HG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB690N15HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:472K  way-on
 wmb690n15hg2.pdf pdf_icon

WMB690N15HG2

WMB690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the GsssssGson-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN50

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: DMP3037LSS | AP4604IN | 2SK1471 | IRL8113LPBF | 2SK1637 | IRLSZ34A | STD14NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.