WMB70P02TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB70P02TS
Código: B70P02S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 665 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMB70P02TS
WMB70P02TS Datasheet (PDF)
wmb70p02ts.pdf
WMB70P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDWMB70P02TS uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gsssmaintain superior switching performance. ssGsFeatures PDFN5060-8L V = -20V, I = -70A DS DR
wmb70n04t1.pdf
WMB70N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DWMB70N04T1 uses advanced power trench technology that has D DDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. ssss sGsFeatures PDFN5060-8L V = 40V, I = 70A DS DR
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100