WMB70P02TS MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WMB70P02TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB70P02TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 665 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB70P02TS datasheet

..1. Size:609K way-on
wmb70p02ts.pdf pdf_icon

WMB70P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMB70P02TS uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G ss s maintain superior switching performance. ss G s Features PDFN5060-8L V = -20V, I = -70A DS D R

9.1. Size:974K way-on
wmb70n04t1.pdf pdf_icon

WMB70N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMB70N04T1 uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and G yet maintain superior switching performance. ss ss s G s Features PDFN5060-8L V = 40V, I = 70A DS D R

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History: AP65SL099DI

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