WMB70P02TS - описание и поиск аналогов

 

WMB70P02TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB70P02TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB70P02TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB70P02TS даташит

 ..1. Size:609K  way-on
 wmb70p02ts.pdf pdf_icon

WMB70P02TS

WMB70P02TS 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMB70P02TS uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G ss s maintain superior switching performance. ss G s Features PDFN5060-8L V = -20V, I = -70A DS D R

 9.1. Size:974K  way-on
 wmb70n04t1.pdf pdf_icon

WMB70P02TS

WMB70N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMB70N04T1 uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and G yet maintain superior switching performance. ss ss s G s Features PDFN5060-8L V = 40V, I = 70A DS D R

Другие IGBT... WMB510N15HG2, WMB52N03T2, WMB56N04T1, WMB58N03T1, WMB60P02TS, WMB60P03TA, WMB690N15HG2, WMB70N04T1, MMIS60R580P, WMB80N06TS, WMB80P04TS, WMB81N03T1, WMB90N02TS, WMB90P03TS, WMB90P04TS, WMB95P06TS, WMC1N40D1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.