WMB80N06TS MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WMB80N06TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB80N06TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB80N06TS datasheet

..1. Size:618K way-on
wmb80n06ts.pdf pdf_icon

WMB80N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMB80N06TS uses advanced power trench technology that has G been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet ss s ss G s maintain superior switching performance. Features PDFN5060-8L V = 60V, I = 80A DS D R

9.1. Size:638K way-on
wmb80p04ts.pdf pdf_icon

WMB80P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMB80P04TS uses advanced power trench technology that has G been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet ss s ss G s maintain superior switching performance. Features PDFN5060-8L V = -40V, I = -80A DS D R

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History: AP65SL045AFWL

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