WMB80N06TS Todos los transistores

 

WMB80N06TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB80N06TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB80N06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:618K  way-on
 wmb80n06ts.pdf pdf_icon

WMB80N06TS

WMB80N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB80N06TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance. Features PDFN5060-8L V = 60V, I = 80A DS DR

 9.1. Size:638K  way-on
 wmb80p04ts.pdf pdf_icon

WMB80N06TS

WMB80P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB80P04TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance.Features PDFN5060-8L V = -40V, I = -80A DS DR

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History: SI5406DC | SM2613PSC | AOD2610 | LNF7N65D | IXTP98N075T | SUN0465F

 

 
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