Справочник MOSFET. WMB80N06TS

 

WMB80N06TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB80N06TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB80N06TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB80N06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:618K  way-on
 wmb80n06ts.pdf pdf_icon

WMB80N06TS

WMB80N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB80N06TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance. Features PDFN5060-8L V = 60V, I = 80A DS DR

 9.1. Size:638K  way-on
 wmb80p04ts.pdf pdf_icon

WMB80N06TS

WMB80P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB80P04TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance.Features PDFN5060-8L V = -40V, I = -80A DS DR

Другие MOSFET... WMB52N03T2 , WMB56N04T1 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 , WMB70P02TS , HY1906P , WMB80P04TS , WMB81N03T1 , WMB90N02TS , WMB90P03TS , WMB90P04TS , WMB95P06TS , WMC1N40D1 , WMF05N70MM .

History: SML5025AN | SFW9624 | STD4N90K5 | PTF4N65 | NCE0130A | G13N04 | HMS90N04D

 

 
Back to Top

 


 
.