WMB80P04TS Todos los transistores

 

WMB80P04TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB80P04TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 81.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de WMB80P04TS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMB80P04TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  way-on
 wmb80p04ts.pdf pdf_icon

WMB80P04TS

WMB80P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB80P04TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance.Features PDFN5060-8L V = -40V, I = -80A DS DR

 9.1. Size:618K  way-on
 wmb80n06ts.pdf pdf_icon

WMB80P04TS

WMB80N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB80N06TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance. Features PDFN5060-8L V = 60V, I = 80A DS DR

Otros transistores... WMB56N04T1 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 , WMB70P02TS , WMB80N06TS , AO3407 , WMB81N03T1 , WMB90N02TS , WMB90P03TS , WMB90P04TS , WMB95P06TS , WMC1N40D1 , WMF05N70MM , WMJ020N10HGS .

History: KXF3055 | NCE20P09S

 

 
Back to Top

 


 
.