WMB80P04TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMB80P04TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 81.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMB80P04TS

WMB80P04TS Datasheet (PDF)

..1. Size:638K way-on
wmb80p04ts.pdf

WMB80P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB80P04TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance.Features PDFN5060-8L V = -40V, I = -80A DS DR

9.1. Size:618K way-on
wmb80n06ts.pdf

WMB80N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB80N06TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance. Features PDFN5060-8L V = 60V, I = 80A DS DR

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Liste

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