WMB80P04TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMB80P04TS
Маркировка: B80P04S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 81.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: PDFN5060-8L
WMB80P04TS Datasheet (PDF)
wmb80p04ts.pdf

WMB80P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB80P04TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance.Features PDFN5060-8L V = -40V, I = -80A DS DR
wmb80n06ts.pdf

WMB80N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB80N06TS uses advanced power trench technology that has Gbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet sssssGsmaintain superior switching performance. Features PDFN5060-8L V = 60V, I = 80A DS DR
Другие MOSFET... WMB56N04T1 , WMB58N03T1 , WMB60P02TS , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 , WMB70P02TS , WMB80N06TS , AO3407 , WMB81N03T1 , WMB90N02TS , WMB90P03TS , WMB90P04TS , WMB95P06TS , WMC1N40D1 , WMF05N70MM , WMJ020N10HGS .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918