WMB80P04TS - описание и поиск аналогов

 

WMB80P04TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB80P04TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 81.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB80P04TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB80P04TS даташит

 ..1. Size:638K  way-on
 wmb80p04ts.pdf pdf_icon

WMB80P04TS

WMB80P04TS 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMB80P04TS uses advanced power trench technology that has G been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet ss s ss G s maintain superior switching performance. Features PDFN5060-8L V = -40V, I = -80A DS D R

 9.1. Size:618K  way-on
 wmb80n06ts.pdf pdf_icon

WMB80P04TS

WMB80N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMB80N06TS uses advanced power trench technology that has G been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet ss s ss G s maintain superior switching performance. Features PDFN5060-8L V = 60V, I = 80A DS D R

Другие IGBT... WMB56N04T1, WMB58N03T1, WMB60P02TS, WMB60P03TA, WMB690N15HG2, WMB70N04T1, WMB70P02TS, WMB80N06TS, AO4407A, WMB81N03T1, WMB90N02TS, WMB90P03TS, WMB90P04TS, WMB95P06TS, WMC1N40D1, WMF05N70MM, WMJ020N10HGS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.