WMB81N03T1 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

WMB81N03T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB81N03T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 81 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 277 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

Búsqueda de reemplazo de WMB81N03T1 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

WMB81N03T1 datasheet

..1. Size:641K way-on
wmb81n03t1.pdf pdf_icon

WMB81N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D WMB81N03T1 uses advanced power trench technology that has D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G ss s maintain superior switching performance. ss G s Features PDFN5060-8L V = 30V, I = 81A DS D R

Otros transistores... WMB58N03T1, WMB60P02TS, WMB60P03TA, WMB690N15HG2, WMB70N04T1, WMB70P02TS, WMB80N06TS, WMB80P04TS, 60N06, WMB90N02TS, WMB90P03TS, WMB90P04TS, WMB95P06TS, WMC1N40D1, WMF05N70MM, WMJ020N10HGS, WMJ023N08HGS

🌐 : EN ES РУ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

WMB81N03T1 Todos los transistores