WMB81N03T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMB81N03T1
   Código: B81N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 81 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 277 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMB81N03T1

WMB81N03T1 Datasheet (PDF)

..1. Size:641K way-on
wmb81n03t1.pdf

WMB81N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDWMB81N03T1 uses advanced power trench technology that has D Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gsssmaintain superior switching performance. ssGsFeatures PDFN5060-8L V = 30V, I = 81A DS DR

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