Справочник MOSFET. WMB81N03T1

 

WMB81N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB81N03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB81N03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB81N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:641K  way-on
 wmb81n03t1.pdf pdf_icon

WMB81N03T1

WMB81N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDWMB81N03T1 uses advanced power trench technology that has D Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gsssmaintain superior switching performance. ssGsFeatures PDFN5060-8L V = 30V, I = 81A DS DR

Другие MOSFET... WMB58N03T1 , WMB60P02TS , WMB60P03TA , WMB690N15HG2 , WMB70N04T1 , WMB70P02TS , WMB80N06TS , WMB80P04TS , AO4468 , WMB90N02TS , WMB90P03TS , WMB90P04TS , WMB95P06TS , WMC1N40D1 , WMF05N70MM , WMJ020N10HGS , WMJ023N08HGS .

History: IRF3707ZCS | SML20L100

 

 
Back to Top

 


 
.