WMB81N03T1 - описание и поиск аналогов

 

WMB81N03T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMB81N03T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: PDFN5060-8L

Аналог (замена) для WMB81N03T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB81N03T1 даташит

 ..1. Size:641K  way-on
 wmb81n03t1.pdf pdf_icon

WMB81N03T1

WMB81N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D WMB81N03T1 uses advanced power trench technology that has D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G ss s maintain superior switching performance. ss G s Features PDFN5060-8L V = 30V, I = 81A DS D R

Другие IGBT... WMB58N03T1, WMB60P02TS, WMB60P03TA, WMB690N15HG2, WMB70N04T1, WMB70P02TS, WMB80N06TS, WMB80P04TS, 60N06, WMB90N02TS, WMB90P03TS, WMB90P04TS, WMB95P06TS, WMC1N40D1, WMF05N70MM, WMJ020N10HGS, WMJ023N08HGS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.