Справочник MOSFET. WMB81N03T1

 

WMB81N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB81N03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB81N03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB81N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:641K  way-on
 wmb81n03t1.pdf pdf_icon

WMB81N03T1

WMB81N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDWMB81N03T1 uses advanced power trench technology that has D Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Gsssmaintain superior switching performance. ssGsFeatures PDFN5060-8L V = 30V, I = 81A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MTH6N100 | JCS8N65R

 

 
Back to Top

 


 
.