WMB95P06TS Todos los transistores

 

WMB95P06TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMB95P06TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 637 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
 

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WMB95P06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:981K  way-on
 wmb95p06ts.pdf pdf_icon

WMB95P06TS

WMB95P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDWMB95P06TS uses advanced power trench technology that has been DDDD Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Gsuperior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -60V, I = -86A DS DR

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History: KIA5N60E | STP160N4LF6 | NCEP060N60G | KIA65R420 | UTT6N10Z | SSM9926TGO | IRFR9310PBF

 

 
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