WMB95P06TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMB95P06TS
Código: B95P06S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 58.4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 637 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMB95P06TS
WMB95P06TS Datasheet (PDF)
..1. Size:981K way-on
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WMB95P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDWMB95P06TS uses advanced power trench technology that has been DDDD Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Gsuperior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -60V, I = -86A DS DR
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