WMB95P06TS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMB95P06TS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 637 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: PDFN5060-8L

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WMB95P06TS datasheet

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WMB95P06TS

WMB95P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMB95P06TS uses advanced power trench technology that has been D D D D D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain G superior switching performance. ss s ss G s Features PDFN5060-8L V = -60V, I = -86A DS D R

Otros transistores... WMB70N04T1, WMB70P02TS, WMB80N06TS, WMB80P04TS, WMB81N03T1, WMB90N02TS, WMB90P03TS, WMB90P04TS, IRFZ44N, WMC1N40D1, WMF05N70MM, WMJ020N10HGS, WMJ023N08HGS, WMJ028N10HGS, WMJ10N100D1, WMJ11N150D1, WMJ12N120D1