Справочник MOSFET. WMB95P06TS

 

WMB95P06TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMB95P06TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 637 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L
 

 Аналог (замена) для WMB95P06TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMB95P06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:981K  way-on
 wmb95p06ts.pdf pdf_icon

WMB95P06TS

WMB95P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDWMB95P06TS uses advanced power trench technology that has been DDDD Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Gsuperior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -60V, I = -86A DS DR

Другие MOSFET... WMB70N04T1 , WMB70P02TS , WMB80N06TS , WMB80P04TS , WMB81N03T1 , WMB90N02TS , WMB90P03TS , WMB90P04TS , IRFZ44N , WMC1N40D1 , WMF05N70MM , WMJ020N10HGS , WMJ023N08HGS , WMJ028N10HGS , WMJ10N100D1 , WMJ11N150D1 , WMJ12N120D1 .

History: IRFS3107-7P | NTB90N02 | WTK9435

 

 
Back to Top

 


 
.