Справочник MOSFET. WMB95P06TS

 

WMB95P06TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMB95P06TS
   Маркировка: B95P06S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 637 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5060-8L

 Аналог (замена) для WMB95P06TS

 

 

WMB95P06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:981K  way-on
 wmb95p06ts.pdf

WMB95P06TS WMB95P06TS

WMB95P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDWMB95P06TS uses advanced power trench technology that has been DDDD Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain Gsuperior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = -60V, I = -86A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top