WMC1N40D1 Todos los transistores

 

WMC1N40D1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMC1N40D1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm

Encapsulados: SOT23

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WMC1N40D1 datasheet

 ..1. Size:1055K  way-on
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WMC1N40D1

WMC1N40D1 400V 1A 8.2 N-ch Power MOSFET Description SOT-23 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction D in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very G S robust and RoHS compliant. Features Typ.R =8.2 @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Pb-free H

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History: BLM3415 | MMSF7P03HDR2G | IRFB59N10D | SI2323 | IRLZ44ZL | 2SJ319 | IRLZ44SPBF

 

 

 

 

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