WMC1N40D1 Todos los transistores

 

WMC1N40D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMC1N40D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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WMC1N40D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1055K  way-on
 wmc1n40d1.pdf pdf_icon

WMC1N40D1

WMC1N40D1400V 1A 8.2 N-ch Power MOSFETDescriptionSOT-23WMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionDin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is very GSrobust and RoHS compliant.Features Typ.R =8.2@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Pb-freeH

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History: BSC016N03LSG | 2SK1384R | TMP4N60H | BSO200N03S | STD11N65M5 | ZXMN4A06GTA

 

 
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