WMC1N40D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMC1N40D1
   Código: 1N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 400 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.25 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.1 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.1 nC
   Tiempo de subida (tr): 4.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 9.5 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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WMC1N40D1 Datasheet (PDF)

..1. Size:1055K way-on
wmc1n40d1.pdf

WMC1N40D1400V 1A 8.2 N-ch Power MOSFETDescriptionSOT-23WMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionDin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is very GSrobust and RoHS compliant.Features Typ.R =8.2@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Pb-freeH

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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