Справочник MOSFET. WMC1N40D1

 

WMC1N40D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMC1N40D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WMC1N40D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMC1N40D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1055K  way-on
 wmc1n40d1.pdf pdf_icon

WMC1N40D1

WMC1N40D1400V 1A 8.2 N-ch Power MOSFETDescriptionSOT-23WMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionDin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is very GSrobust and RoHS compliant.Features Typ.R =8.2@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Pb-freeH

Другие MOSFET... WMB70P02TS , WMB80N06TS , WMB80P04TS , WMB81N03T1 , WMB90N02TS , WMB90P03TS , WMB90P04TS , WMB95P06TS , IRF3205 , WMF05N70MM , WMJ020N10HGS , WMJ023N08HGS , WMJ028N10HGS , WMJ10N100D1 , WMJ11N150D1 , WMJ12N120D1 , WMX12N120D1 .

 

 
Back to Top

 


 
.