WMC1N40D1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMC1N40D1
Маркировка: 1N40
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.25 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.1 nC
Время нарастания (tr): 4.5 ns
Выходная емкость (Cd): 9.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 11 Ohm
Тип корпуса: SOT23
WMC1N40D1 Datasheet (PDF)
wmc1n40d1.pdf
WMC1N40D1400V 1A 8.2 N-ch Power MOSFETDescriptionSOT-23WMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionDin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is very GSrobust and RoHS compliant.Features Typ.R =8.2@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Pb-freeH
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .