WMJ11N150D1 Todos los transistores

 

WMJ11N150D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMJ11N150D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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WMJ11N150D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1748K  way-on
 wmj11n150d1.pdf pdf_icon

WMJ11N150D1

WMJ11N150D11500V 11A 2.5 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOSfamily that is dramatic reduction in on-resistanceand ultra-low gate charge for applications requiringhigh power density and high efficiency. And it isvery robust and RoHS compliant.GDSFeatures Typ.R =2.5@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Pb-free

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History: IRFB5615 | SM1A30NSU | IRFH5206 | MNT-LB32N20-C4

 

 
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