WMJ11N150D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMJ11N150D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 93 nC
Tiempo de subida (tr): 48 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 190 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMJ11N150D1
WMJ11N150D1 Datasheet (PDF)
wmj11n150d1.pdf
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WMJ11N150D11500V 11A 2.5 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOSfamily that is dramatic reduction in on-resistanceand ultra-low gate charge for applications requiringhigh power density and high efficiency. And it isvery robust and RoHS compliant.GDSFeatures Typ.R =2.5@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Pb-free
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C