WMJ11N150D1 Todos los transistores

 

WMJ11N150D1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMJ11N150D1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm

Encapsulados: TO247

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WMJ11N150D1 datasheet

 ..1. Size:1748K  way-on
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WMJ11N150D1

WMJ11N150D1 1500V 11A 2.5 N-ch Power MOSFET Description TO-247 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S Features Typ.R =2.5 @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Pb-free

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History: CS6N60FA9H-G | BLM2301 | WMJ26N65SR | WSF12N10 | WSD4050DN | WSF3036A | SI2319

 

 

 

 

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