Справочник MOSFET. WMJ11N150D1

 

WMJ11N150D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMJ11N150D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для WMJ11N150D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ11N150D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1748K  way-on
 wmj11n150d1.pdf pdf_icon

WMJ11N150D1

WMJ11N150D11500V 11A 2.5 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOSfamily that is dramatic reduction in on-resistanceand ultra-low gate charge for applications requiringhigh power density and high efficiency. And it isvery robust and RoHS compliant.GDSFeatures Typ.R =2.5@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Pb-free

Другие MOSFET... WMB90P04TS , WMB95P06TS , WMC1N40D1 , WMF05N70MM , WMJ020N10HGS , WMJ023N08HGS , WMJ028N10HGS , WMJ10N100D1 , 50N06 , WMJ12N120D1 , WMX12N120D1 , WMJ18N90D1 , WMJ20N50D1 , WMK20N50D1 , WML20N50D1 , WMJ220N20HG3 , WMJ27N80D1 .

 

 
Back to Top

 


 
.