WMJ11N150D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMJ11N150D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для WMJ11N150D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ11N150D1 даташит

 ..1. Size:1748K  way-on
 wmj11n150d1.pdf pdf_icon

WMJ11N150D1

WMJ11N150D1 1500V 11A 2.5 N-ch Power MOSFET Description TO-247 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S Features Typ.R =2.5 @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Pb-free

Другие IGBT... WMB90P04TS, WMB95P06TS, WMC1N40D1, WMF05N70MM, WMJ020N10HGS, WMJ023N08HGS, WMJ028N10HGS, WMJ10N100D1, 50N06, WMJ12N120D1, WMX12N120D1, WMJ18N90D1, WMJ20N50D1, WMK20N50D1, WML20N50D1, WMJ220N20HG3, WMJ27N80D1