WMX12N120D1 Todos los transistores

 

WMX12N120D1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMX12N120D1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 243 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO3PF

 Búsqueda de reemplazo de WMX12N120D1 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WMX12N120D1 datasheet

 ..1. Size:1375K  way-on
 wmj12n120d1 wmx12n120d1.pdf pdf_icon

WMX12N120D1

WMJ12N120D1 WMX12N120D1 1200V 12A 1.25 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-3PF TAB WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D G D S S Features Typ.R =1.25 @V

Otros transistores... WMC1N40D1 , WMF05N70MM , WMJ020N10HGS , WMJ023N08HGS , WMJ028N10HGS , WMJ10N100D1 , WMJ11N150D1 , WMJ12N120D1 , IRFZ44 , WMJ18N90D1 , WMJ20N50D1 , WMK20N50D1 , WML20N50D1 , WMJ220N20HG3 , WMJ27N80D1 , WMJ3N120D1 , WMO3N120D1 .

History: WML15N25T2 | WMO16N65SR | WMJ80R480S | WML15N65C2 | WML16N70SR | WMM120N04TS | WMM26N60F2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.