WMX12N120D1 Todos los transistores

 

WMX12N120D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMX12N120D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 243 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PF
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMX12N120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1375K  way-on
 wmj12n120d1 wmx12n120d1.pdf pdf_icon

WMX12N120D1

WMJ12N120D1 WMX12N120D1 1200V 12A 1.25 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-3PF TAB WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D G D S S Features Typ.R =1.25@V

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History: HSP150N15 | WSD4066DN | VS3618AE | AOLF66610 | 2SK1336 | CSD17310Q5A | IRFB4410ZGPBF

 

 
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