Справочник MOSFET. WMX12N120D1

 

WMX12N120D1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMX12N120D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90.6 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 94 nC
   Время нарастания (tr): 58 ns
   Выходная емкость (Cd): 243 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для WMX12N120D1

 

 

WMX12N120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1375K  way-on
 wmj12n120d1 wmx12n120d1.pdf

WMX12N120D1 WMX12N120D1

WMJ12N120D1 WMX12N120D1 1200V 12A 1.25 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-3PF TAB WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D G D S S Features Typ.R =1.25@V

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top