Справочник MOSFET. WMX12N120D1

 

WMX12N120D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMX12N120D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 94 nC
   trⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 243 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMX12N120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1375K  way-on
 wmj12n120d1 wmx12n120d1.pdf pdf_icon

WMX12N120D1

WMJ12N120D1 WMX12N120D1 1200V 12A 1.25 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-3PF TAB WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D G D S S Features Typ.R =1.25@V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WSD2018ADN22 | NCES075R026T | NDD05N50Z | NDB410B | HRS75N75V | HSM4004 | HSM6113

 

 
Back to Top

 


 
.