STK600 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK600
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Encapsulados: SOT89
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STK600 datasheet
stk600.pdf
Gre r r P Pr Pr Pro STK600 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 0.9 @ VGS=10V Suface Mount Package. 60V 0.8A 1.3 @ VGS=4.5V ESD Protected. D D G S D SOT-89 G S (TA=25 C unless otherwise noted)
Otros transistores... STM102D , FDP8870 , STM101N , FDP8870F085 , STK900 , FDP8874 , STK801 , FDP8876 , IRF2807 , FDP8880 , STK400 , FDP8896 , STK103 , FDP8N50NZ , FDPF10N50FT , FDPF10N50UT , FDPF10N60NZ .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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