STK600 Todos los transistores

 

STK600 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK600
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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STK600 Datasheet (PDF)

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STK600

GrerrPPrPrProSTK600aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.0.9 @ VGS=10VSuface Mount Package.60V 0.8A1.3 @ VGS=4.5VESD Protected.DDGSDSOT-89GS(TA=25C unless otherwise noted)

Otros transistores... STM102D , FDP8870 , STM101N , FDP8870F085 , STK900 , FDP8874 , STK801 , FDP8876 , IRFB31N20D , FDP8880 , STK400 , FDP8896 , STK103 , FDP8N50NZ , FDPF10N50FT , FDPF10N50UT , FDPF10N60NZ .

History: NTZD5110N | BR7N80

 

 
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