Справочник MOSFET. STK600

 

STK600 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK600
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STK600 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  samhop
 stk600.pdf pdf_icon

STK600

GrerrPPrPrProSTK600aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.0.9 @ VGS=10VSuface Mount Package.60V 0.8A1.3 @ VGS=4.5VESD Protected.DDGSDSOT-89GS(TA=25C unless otherwise noted)

Другие MOSFET... STM102D , FDP8870 , STM101N , FDP8870F085 , STK900 , FDP8874 , STK801 , FDP8876 , IRF9540N , FDP8880 , STK400 , FDP8896 , STK103 , FDP8N50NZ , FDPF10N50FT , FDPF10N50UT , FDPF10N60NZ .

History: FDS2582 | AM7510C | RU1H36S | IPW60R099C7 | IRF1404LPBF | IPL60R360P6S | STD25NF20

 

 
Back to Top

 


 
.