WMJ20N50D1 Todos los transistores

 

WMJ20N50D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMJ20N50D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de WMJ20N50D1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMJ20N50D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1271K  way-on
 wmj20n50d1 wmk20n50d1 wml20n50d1.pdf pdf_icon

WMJ20N50D1

WMJ20N50D1 WMK20N50D1 WML20N50D1500V 20A 0.22 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247 TO-220 TO-220FTABWMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOSTABfamily that is dramatic reduction inon-resistance and ultra-low gate charge forapplications requiring high power density andhigh efficiency. And it is very robust and RoHScompliant.G GGD DDS SSFeatures V =550V@

Otros transistores... WMJ020N10HGS , WMJ023N08HGS , WMJ028N10HGS , WMJ10N100D1 , WMJ11N150D1 , WMJ12N120D1 , WMX12N120D1 , WMJ18N90D1 , IRF1404 , WMK20N50D1 , WML20N50D1 , WMJ220N20HG3 , WMJ27N80D1 , WMJ3N120D1 , WMO3N120D1 , WMJ40N50D1 , WMPN40N50D1 .

History: IRFS4228PBF | WMK12N80M3 | IRLTS2242TR | NTP5862N | ST2302 | NCE2301F

 

 
Back to Top

 


 
.