WMJ20N50D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMJ20N50D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для WMJ20N50D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ20N50D1 даташит

 ..1. Size:1271K  way-on
 wmj20n50d1 wmk20n50d1 wml20n50d1.pdf pdf_icon

WMJ20N50D1

WMJ20N50D1 WMK20N50D1 WML20N50D1 500V 20A 0.22 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-220 TO-220F TAB WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G G G D D D S S S Features V =550V@

Другие IGBT... WMJ020N10HGS, WMJ023N08HGS, WMJ028N10HGS, WMJ10N100D1, WMJ11N150D1, WMJ12N120D1, WMX12N120D1, WMJ18N90D1, IRF1404, WMK20N50D1, WML20N50D1, WMJ220N20HG3, WMJ27N80D1, WMJ3N120D1, WMO3N120D1, WMJ40N50D1, WMPN40N50D1