WMJ220N20HG3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMJ220N20HG3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 329 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Encapsulados: TO247
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WMJ220N20HG3 datasheet
wmj220n20hg3.pdf
WMJ220N20HG3 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMJ220N20HG3 uses Wayon's 3rd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This S device is well suited for high efficiency fast switching applications. D G . TO-247 Features V = 200V, I
wmn22n50c4 wmm22n50c4 wmj22n50c4 wmo22n50c4 wmk22n50c4 wml22n50c4.pdf
WMN22N50C4, WMM22N MJ22N50C N50C4, WM C4 WMO22N50C4, WMK22N ML22N50C N50C4, WM C4 500V n Power MOSFET V 0.22 Super Junction Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4
Otros transistores... WMJ10N100D1 , WMJ11N150D1 , WMJ12N120D1 , WMX12N120D1 , WMJ18N90D1 , WMJ20N50D1 , WMK20N50D1 , WML20N50D1 , IRF640N , WMJ27N80D1 , WMJ3N120D1 , WMO3N120D1 , WMJ40N50D1 , WMPN40N50D1 , WMJ4N150D1 , WMX4N150D1 , WMK4N150D1 .
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