WMJ220N20HG3 - аналоги и даташиты транзистора

 

WMJ220N20HG3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WMJ220N20HG3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 329 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для WMJ220N20HG3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ220N20HG3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  way-on
 wmj220n20hg3.pdf pdf_icon

WMJ220N20HG3

WMJ220N20HG3 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMJ220N20HG3 uses Wayon's 3rd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This Sdevice is well suited for high efficiency fast switching applications. DG.TO-247Features V = 200V, I

 9.1. Size:671K  way-on
 wmn22n50c4 wmm22n50c4 wmj22n50c4 wmo22n50c4 wmk22n50c4 wml22n50c4.pdf pdf_icon

WMJ220N20HG3

WMN22N50C4, WMM22N MJ22N50CN50C4, WM C4 WMO22N50C4, WMK22N ML22N50CN50C4, WM C4 500V n Power MOSFETV 0.22 Super JunctionDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G and low ga charge performanc WMOSTM C4

Другие MOSFET... WMJ10N100D1 , WMJ11N150D1 , WMJ12N120D1 , WMX12N120D1 , WMJ18N90D1 , WMJ20N50D1 , WMK20N50D1 , WML20N50D1 , IRF630 , WMJ27N80D1 , WMJ3N120D1 , WMO3N120D1 , WMJ40N50D1 , WMPN40N50D1 , WMJ4N150D1 , WMX4N150D1 , WMK4N150D1 .

History: BL20N65-A | PTP9506E | IRFHM792PBF | FTP04N60B

 

 
Back to Top

 


 
.