WMJ3N120D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMJ3N120D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 22.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMJ3N120D1
WMJ3N120D1 Datasheet (PDF)
..1. Size:1366K way-on
wmj3n120d1 wmo3n120d1.pdf
wmj3n120d1 wmo3n120d1.pdf
WMJ3N120D1 WMO3N120D11200V 3A 6.3 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247TO-252WMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reductionTABin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryrobust and RoHS compliant.DGGDSSFeatures Typ.R =6.3@V =10VDS(on) GS
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