WMJ3N120D1 Todos los transistores

WMJ3N120D1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMJ3N120D1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.5 Ohm

Encapsulados: TO247

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros