Справочник MOSFET. WMJ3N120D1

 

WMJ3N120D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMJ3N120D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для WMJ3N120D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ3N120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1366K  way-on
 wmj3n120d1 wmo3n120d1.pdf pdf_icon

WMJ3N120D1

WMJ3N120D1 WMO3N120D11200V 3A 6.3 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247TO-252WMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reductionTABin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryrobust and RoHS compliant.DGGDSSFeatures Typ.R =6.3@V =10VDS(on) GS

Другие MOSFET... WMJ12N120D1 , WMX12N120D1 , WMJ18N90D1 , WMJ20N50D1 , WMK20N50D1 , WML20N50D1 , WMJ220N20HG3 , WMJ27N80D1 , IRF3710 , WMO3N120D1 , WMJ40N50D1 , WMPN40N50D1 , WMJ4N150D1 , WMX4N150D1 , WMK4N150D1 , WMJ60N60EM , WMJ69N30DMH .

History: STB9NK80Z | IRFH5206 | NCEP0135A | AMA2N7002 | ME1303AT3-G | CS2N60A3H | SFL024

 

 
Back to Top

 


 
.