WMJ3N120D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMJ3N120D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для WMJ3N120D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ3N120D1 даташит

 ..1. Size:1366K  way-on
 wmj3n120d1 wmo3n120d1.pdf pdf_icon

WMJ3N120D1

Другие IGBT... WMJ12N120D1, WMX12N120D1, WMJ18N90D1, WMJ20N50D1, WMK20N50D1, WML20N50D1, WMJ220N20HG3, WMJ27N80D1, AO3400, WMO3N120D1, WMJ40N50D1, WMPN40N50D1, WMJ4N150D1, WMX4N150D1, WMK4N150D1, WMJ60N60EM, WMJ69N30DMH