Справочник MOSFET. WMJ3N120D1

 

WMJ3N120D1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMJ3N120D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для WMJ3N120D1

 

 

WMJ3N120D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1366K  way-on
 wmj3n120d1 wmo3n120d1.pdf

WMJ3N120D1 WMJ3N120D1

WMJ3N120D1 WMO3N120D11200V 3A 6.3 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247TO-252WMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reductionTABin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryrobust and RoHS compliant.DGGDSSFeatures Typ.R =6.3@V =10VDS(on) GS

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top