WMJ40N50D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMJ40N50D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 165.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMJ40N50D1

WMJ40N50D1 Datasheet (PDF)

..1. Size:2374K way-on
wmj40n50d1 wmpn40n50d1.pdf

WMJ40N50D1 WMPN40N50D1500V 40A 0.1 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247TO-3PNWMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryrobust and RoHS compliant.GDGSDSFeatures Typ.R =0.1@V =10VDS(on) GS

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Liste

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