Справочник MOSFET. WMJ40N50D1

 

WMJ40N50D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMJ40N50D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для WMJ40N50D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ40N50D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2374K  way-on
 wmj40n50d1 wmpn40n50d1.pdf pdf_icon

WMJ40N50D1

WMJ40N50D1 WMPN40N50D1500V 40A 0.1 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247TO-3PNWMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryrobust and RoHS compliant.GDGSDSFeatures Typ.R =0.1@V =10VDS(on) GS

Другие MOSFET... WMJ18N90D1 , WMJ20N50D1 , WMK20N50D1 , WML20N50D1 , WMJ220N20HG3 , WMJ27N80D1 , WMJ3N120D1 , WMO3N120D1 , P55NF06 , WMPN40N50D1 , WMJ4N150D1 , WMX4N150D1 , WMK4N150D1 , WMJ60N60EM , WMJ69N30DMH , WMJ80N60C4 , WMJ80N60F2 .

History: WMN25N70EM | CEBF630

 

 
Back to Top

 


 
.