WMJ40N50D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMJ40N50D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для WMJ40N50D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ40N50D1 даташит

 ..1. Size:2374K  way-on
 wmj40n50d1 wmpn40n50d1.pdf pdf_icon

WMJ40N50D1

WMJ40N50D1 WMPN40N50D1 500V 40A 0.1 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-3PN WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation TAB TAB VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D G S D S Features Typ.R =0.1 @V =10V DS(on) GS

Другие IGBT... WMJ18N90D1, WMJ20N50D1, WMK20N50D1, WML20N50D1, WMJ220N20HG3, WMJ27N80D1, WMJ3N120D1, WMO3N120D1, IRF3710, WMPN40N50D1, WMJ4N150D1, WMX4N150D1, WMK4N150D1, WMJ60N60EM, WMJ69N30DMH, WMJ80N60C4, WMJ80N60F2