WMPN40N50D1 Todos los transistores

 

WMPN40N50D1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMPN40N50D1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 462 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO3PN

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WMPN40N50D1 datasheet

 ..1. Size:2374K  way-on
 wmj40n50d1 wmpn40n50d1.pdf pdf_icon

WMPN40N50D1

WMJ40N50D1 WMPN40N50D1 500V 40A 0.1 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-3PN WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation TAB TAB VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D G S D S Features Typ.R =0.1 @V =10V DS(on) GS

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History: FDD6030BL | WMP05N80M3

 

 

 

 

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