WMPN40N50D1 - описание и поиск аналогов

 

WMPN40N50D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMPN40N50D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для WMPN40N50D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMPN40N50D1 даташит

 ..1. Size:2374K  way-on
 wmj40n50d1 wmpn40n50d1.pdf pdf_icon

WMPN40N50D1

WMJ40N50D1 WMPN40N50D1 500V 40A 0.1 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-3PN WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation TAB TAB VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D G S D S Features Typ.R =0.1 @V =10V DS(on) GS

Другие MOSFET... WMJ20N50D1 , WMK20N50D1 , WML20N50D1 , WMJ220N20HG3 , WMJ27N80D1 , WMJ3N120D1 , WMO3N120D1 , WMJ40N50D1 , 10N60 , WMJ4N150D1 , WMX4N150D1 , WMK4N150D1 , WMJ60N60EM , WMJ69N30DMH , WMJ80N60C4 , WMJ80N60F2 , WMJ80N65C4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.