WMPN40N50D1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMPN40N50D1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 165.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для WMPN40N50D1
WMPN40N50D1 Datasheet (PDF)
wmj40n50d1 wmpn40n50d1.pdf
WMJ40N50D1 WMPN40N50D1500V 40A 0.1 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247TO-3PNWMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryrobust and RoHS compliant.GDGSDSFeatures Typ.R =0.1@V =10VDS(on) GS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD