WMPN40N50D1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMPN40N50D1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 462 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 165.3 nC
Время нарастания (tr): 64 ns
Выходная емкость (Cd): 700 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для WMPN40N50D1
WMPN40N50D1 Datasheet (PDF)
..1. Size:2374K way-on
wmj40n50d1 wmpn40n50d1.pdf
wmj40n50d1 wmpn40n50d1.pdf
WMJ40N50D1 WMPN40N50D1500V 40A 0.1 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247TO-3PNWMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryrobust and RoHS compliant.GDGSDSFeatures Typ.R =0.1@V =10VDS(on) GS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: KIA24N50H
