Справочник MOSFET. WMPN40N50D1

 

WMPN40N50D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMPN40N50D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMPN40N50D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2374K  way-on
 wmj40n50d1 wmpn40n50d1.pdf pdf_icon

WMPN40N50D1

WMJ40N50D1 WMPN40N50D1500V 40A 0.1 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247TO-3PNWMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryrobust and RoHS compliant.GDGSDSFeatures Typ.R =0.1@V =10VDS(on) GS

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.