WMJ60N60EM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMJ60N60EM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 403 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 96 nC
Tiempo de subida (tr): 64 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 195 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMJ60N60EM
WMJ60N60EM Datasheet (PDF)
wmj60n60em.pdf
WMMJ60N60EM 600V 0.052 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reTand low ga ce. WMOSTM EM is ate charge performancsuitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density and o
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: OSG60R060HT3ZF