WMJ60N60EM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMJ60N60EM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 403 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO247

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WMJ60N60EM datasheet

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WMJ60N60EM

WM MJ60N60EM 600V 0.052 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re T and low ga ce. WMOSTM EM is ate charge performanc suitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density and o

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