WMJ60N60EM Todos los transistores

 

WMJ60N60EM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMJ60N60EM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 403 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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WMJ60N60EM Datasheet (PDF)

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WMJ60N60EM

WMMJ60N60EM 600V 0.052 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reTand low ga ce. WMOSTM EM is ate charge performancsuitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density and o

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History: WMJ80N65C4

 

 
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