Справочник MOSFET. WMJ60N60EM

 

WMJ60N60EM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMJ60N60EM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 403 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для WMJ60N60EM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ60N60EM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  way-on
 wmj60n60em.pdf pdf_icon

WMJ60N60EM

WMMJ60N60EM 600V 0.052 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reTand low ga ce. WMOSTM EM is ate charge performancsuitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density and o

Другие MOSFET... WMJ27N80D1 , WMJ3N120D1 , WMO3N120D1 , WMJ40N50D1 , WMPN40N50D1 , WMJ4N150D1 , WMX4N150D1 , WMK4N150D1 , IRFB4115 , WMJ69N30DMH , WMJ80N60C4 , WMJ80N60F2 , WMJ80N65C4 , WMJ80N65F2 , WMJ90N60C4 , WMJ90N60F2 , WMJ90N65C4 .

History: PX5S6EA | HCD70R910 | IPI041N12N3G | IRFL024ZPBF | UD9926 | AUIRF7343Q | SSS45N20B

 

 
Back to Top

 


 
.