Справочник MOSFET. WMJ60N60EM

 

WMJ60N60EM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMJ60N60EM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 403 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 96 nC
   Время нарастания (tr): 64 ns
   Выходная емкость (Cd): 195 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для WMJ60N60EM

 

 

WMJ60N60EM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  way-on
 wmj60n60em.pdf

WMJ60N60EM WMJ60N60EM

WMMJ60N60EM 600V 0.052 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reTand low ga ce. WMOSTM EM is ate charge performancsuitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density and o

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SRC65R052FB | STW48NM60N | GP1T040A120B

 

 
Back to Top