WMJ60N60EM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMJ60N60EM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 403 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для WMJ60N60EM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ60N60EM даташит

 ..1. Size:541K  way-on
 wmj60n60em.pdf pdf_icon

WMJ60N60EM

WM MJ60N60EM 600V 0.052 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re T and low ga ce. WMOSTM EM is ate charge performanc suitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density and o

Другие IGBT... WMJ27N80D1, WMJ3N120D1, WMO3N120D1, WMJ40N50D1, WMPN40N50D1, WMJ4N150D1, WMX4N150D1, WMK4N150D1, P55NF06, WMJ69N30DMH, WMJ80N60C4, WMJ80N60F2, WMJ80N65C4, WMJ80N65F2, WMJ90N60C4, WMJ90N60F2, WMJ90N65C4