WMJ69N30DMH Todos los transistores

 

WMJ69N30DMH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMJ69N30DMH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 568 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 61.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TO247

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WMJ69N30DMH datasheet

 ..1. Size:988K  way-on
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WMJ69N30DMH

WMJ69N30DMH 300V 65A 55m N-ch Power MOSFET Description WMJ69N30DMH is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is S very robust and RoHS compliant. D G TO-247 Features V = 300V, I = 65A DS D R

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