WMJ69N30DMH Todos los transistores

 

WMJ69N30DMH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMJ69N30DMH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 568 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 61.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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WMJ69N30DMH Datasheet (PDF)

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WMJ69N30DMH

WMJ69N30DMH 300V 65A 55m N-ch Power MOSFET DescriptionWMJ69N30DMH is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is Svery robust and RoHS compliant. DGTO-247Features V = 300V, I = 65A DS DR

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History: TK3R1A04PL | IRLS3813PBF | NTNS3164NZ | SI9945BDY-T1 | NDT50N03 | 12N60AF | S60N12S

 

 
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