Справочник MOSFET. WMJ69N30DMH

 

WMJ69N30DMH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMJ69N30DMH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 568 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 61.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для WMJ69N30DMH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ69N30DMH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:988K  way-on
 wmj69n30dmh.pdf pdf_icon

WMJ69N30DMH

WMJ69N30DMH 300V 65A 55m N-ch Power MOSFET DescriptionWMJ69N30DMH is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is Svery robust and RoHS compliant. DGTO-247Features V = 300V, I = 65A DS DR

Другие MOSFET... WMJ3N120D1 , WMO3N120D1 , WMJ40N50D1 , WMPN40N50D1 , WMJ4N150D1 , WMX4N150D1 , WMK4N150D1 , WMJ60N60EM , 2SK3878 , WMJ80N60C4 , WMJ80N60F2 , WMJ80N65C4 , WMJ80N65F2 , WMJ90N60C4 , WMJ90N60F2 , WMJ90N65C4 , WMJ90N65F2 .

History: WMM06N80M3 | TK6Q60W | WMM80R480S | IRLSL3036PBF | J177 | IRF60R217 | IRFZ44VS

 

 
Back to Top

 


 
.