WMJ69N30DMH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMJ69N30DMH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 568 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 383 nC
trⓘ - Время нарастания: 61.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO247
WMJ69N30DMH Datasheet (PDF)
wmj69n30dmh.pdf

WMJ69N30DMH 300V 65A 55m N-ch Power MOSFET DescriptionWMJ69N30DMH is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is Svery robust and RoHS compliant. DGTO-247Features V = 300V, I = 65A DS DR
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: STD46P4LLF6 | SIR826ADP | IPB80P03P4L-04 | WMK03N80M3 | VBE2102M
History: STD46P4LLF6 | SIR826ADP | IPB80P03P4L-04 | WMK03N80M3 | VBE2102M



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor