WMJ69N30DMH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMJ69N30DMH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 568 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 65 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 61.2 ns
Выходная емкость (Cd): 290 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для WMJ69N30DMH
WMJ69N30DMH Datasheet (PDF)
..1. Size:988K way-on
wmj69n30dmh.pdf
wmj69n30dmh.pdf
WMJ69N30DMH 300V 65A 55m N-ch Power MOSFET DescriptionWMJ69N30DMH is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is Svery robust and RoHS compliant. DGTO-247Features V = 300V, I = 65A DS DR
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
