WMJ69N30DMH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMJ69N30DMH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 568 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для WMJ69N30DMH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ69N30DMH даташит

 ..1. Size:988K  way-on
 wmj69n30dmh.pdf pdf_icon

WMJ69N30DMH

WMJ69N30DMH 300V 65A 55m N-ch Power MOSFET Description WMJ69N30DMH is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is S very robust and RoHS compliant. D G TO-247 Features V = 300V, I = 65A DS D R

Другие IGBT... WMJ3N120D1, WMO3N120D1, WMJ40N50D1, WMPN40N50D1, WMJ4N150D1, WMX4N150D1, WMK4N150D1, WMJ60N60EM, 8205A, WMJ80N60C4, WMJ80N60F2, WMJ80N65C4, WMJ80N65F2, WMJ90N60C4, WMJ90N60F2, WMJ90N65C4, WMJ90N65F2