WMJ99N60F2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMJ99N60F2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 99 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 123 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 317 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0255 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMJ99N60F2

WMJ99N60F2 Datasheet (PDF)

..1. Size:528K way-on
wmj99n60f2.pdf

WM F2 MJ99N60F 600V 0.022 S unction P MOSFETSuper Ju Power M TDescripptionWMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. series pro all benefits of a fast switching ovide b f sSJ-MOSFE while of an extremely fa body ET ffering e ast diode. WM F2 makes especially resonant MOSTM e rS D G switching a s

6.1. Size:528K way-on
wmj99n60c4.pdf

WM C4 MJ99N60C 600V 0.0195 S unction Power M TSuper Ju MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reand low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate ce. suitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: