WMJ99N60F2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMJ99N60F2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 99 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 123 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 317 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0255 Ohm

Encapsulados: TO247

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WMJ99N60F2 datasheet

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WMJ99N60F2

WM F2 MJ99N60F 600V 0.022 S unction P MOSFET Super Ju Power M T Descrip ption WMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayon s n junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. series pro all benefits of a fast switching ovide b f s SJ-MOSFE while of an extremely fa body ET ffering e ast diode. WM F2 makes especially resonant MOSTM e r S D G switching a s

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WMJ99N60F2

WM C4 MJ99N60C 600V 0.0195 S unction Power M T Super Ju MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re and low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate ce. suitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density

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