Справочник MOSFET. WMJ99N60F2

 

WMJ99N60F2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMJ99N60F2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 99 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 174 nC
   trⓘ - Время нарастания: 123 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 317 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0255 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для WMJ99N60F2

 

 

WMJ99N60F2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:528K  way-on
 wmj99n60f2.pdf

WMJ99N60F2 WMJ99N60F2

WM F2 MJ99N60F 600V 0.022 S unction P MOSFETSuper Ju Power M TDescripptionWMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. series pro all benefits of a fast switching ovide b f sSJ-MOSFE while of an extremely fa body ET ffering e ast diode. WM F2 makes especially resonant MOSTM e rS D G switching a s

 6.1. Size:528K  way-on
 wmj99n60c4.pdf

WMJ99N60F2 WMJ99N60F2

WM C4 MJ99N60C 600V 0.0195 S unction Power M TSuper Ju MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reand low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate ce. suitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top