Справочник MOSFET. WMJ99N60F2

 

WMJ99N60F2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMJ99N60F2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 99 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 317 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0255 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для WMJ99N60F2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ99N60F2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:528K  way-on
 wmj99n60f2.pdf pdf_icon

WMJ99N60F2

WM F2 MJ99N60F 600V 0.022 S unction P MOSFETSuper Ju Power M TDescripptionWMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. series pro all benefits of a fast switching ovide b f sSJ-MOSFE while of an extremely fa body ET ffering e ast diode. WM F2 makes especially resonant MOSTM e rS D G switching a s

 6.1. Size:528K  way-on
 wmj99n60c4.pdf pdf_icon

WMJ99N60F2

WM C4 MJ99N60C 600V 0.0195 S unction Power M TSuper Ju MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reand low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate ce. suitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density

Другие MOSFET... WMJ80N60F2 , WMJ80N65C4 , WMJ80N65F2 , WMJ90N60C4 , WMJ90N60F2 , WMJ90N65C4 , WMJ90N65F2 , WMJ99N60C4 , IRF4905 , WMJ9N150D1 , WMJ9N90D1B , WML9N90D1B , WMK020N06HG4 , WMK023N08HGS , WMK028N08HGD , WMK028N10HG2 , WMK028N10HGS .

 

 
Back to Top

 


 
.