WMJ99N60F2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMJ99N60F2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 99 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 317 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0255 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для WMJ99N60F2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ99N60F2 даташит

 ..1. Size:528K  way-on
 wmj99n60f2.pdf pdf_icon

WMJ99N60F2

WM F2 MJ99N60F 600V 0.022 S unction P MOSFET Super Ju Power M T Descrip ption WMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayon s n junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. series pro all benefits of a fast switching ovide b f s SJ-MOSFE while of an extremely fa body ET ffering e ast diode. WM F2 makes especially resonant MOSTM e r S D G switching a s

 6.1. Size:528K  way-on
 wmj99n60c4.pdf pdf_icon

WMJ99N60F2

WM C4 MJ99N60C 600V 0.0195 S unction Power M T Super Ju MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re and low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate ce. suitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density

Другие IGBT... WMJ80N60F2, WMJ80N65C4, WMJ80N65F2, WMJ90N60C4, WMJ90N60F2, WMJ90N65C4, WMJ90N65F2, WMJ99N60C4, IRF4905, WMJ9N150D1, WMJ9N90D1B, WML9N90D1B, WMK020N06HG4, WMK023N08HGS, WMK028N08HGD, WMK028N10HG2, WMK028N10HGS