WMJ9N150D1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMJ9N150D1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO247

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WMJ9N150D1 datasheet

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WMJ9N150D1

WMJ9N150D1 1500V 9A 2.9 N-ch Power MOSFET Description TO-247 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S Features R =2.9 @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Pb-free Ha

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WMJ9N150D1

WMJ9N90D1B WML9N90D1B 900V 9A 0.88 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very G D G S D robust and RoHS compliant. S Features Typ.R =0.88 @V =10V DS(on) GS 100% av

Otros transistores... WMJ80N65C4, WMJ80N65F2, WMJ90N60C4, WMJ90N60F2, WMJ90N65C4, WMJ90N65F2, WMJ99N60C4, WMJ99N60F2, IRLB4132, WMJ9N90D1B, WML9N90D1B, WMK020N06HG4, WMK023N08HGS, WMK028N08HGD, WMK028N10HG2, WMK028N10HGS, WMK030N06HG4