WMJ9N150D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMJ9N150D1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 320 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 85.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 71 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 189 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMJ9N150D1

WMJ9N150D1 Datasheet (PDF)

..1. Size:1181K way-on
wmj9n150d1.pdf

WMJ9N150D11500V 9A 2.9 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247WMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryrobust and RoHS compliant.GDSFeatures R =2.9@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Pb-freeHa

9.1. Size:1354K way-on
wmj9n90d1b wml9n90d1b.pdf

WMJ9N90D1B WML9N90D1B900V 9A 0.88 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-247 TO-220FWMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is very GDGSDrobust and RoHS compliant.SFeatures Typ.R =0.88@V =10VDS(on) GS 100% av

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Liste

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