WMJ9N150D1 - описание и поиск аналогов

 

WMJ9N150D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMJ9N150D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для WMJ9N150D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMJ9N150D1 даташит

 ..1. Size:1181K  way-on
 wmj9n150d1.pdf pdf_icon

WMJ9N150D1

WMJ9N150D1 1500V 9A 2.9 N-ch Power MOSFET Description TO-247 WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S Features R =2.9 @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Pb-free Ha

 9.1. Size:1354K  way-on
 wmj9n90d1b wml9n90d1b.pdf pdf_icon

WMJ9N150D1

WMJ9N90D1B WML9N90D1B 900V 9A 0.88 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very G D G S D robust and RoHS compliant. S Features Typ.R =0.88 @V =10V DS(on) GS 100% av

Другие MOSFET... WMJ80N65C4 , WMJ80N65F2 , WMJ90N60C4 , WMJ90N60F2 , WMJ90N65C4 , WMJ90N65F2 , WMJ99N60C4 , WMJ99N60F2 , IRLB4132 , WMJ9N90D1B , WML9N90D1B , WMK020N06HG4 , WMK023N08HGS , WMK028N08HGD , WMK028N10HG2 , WMK028N10HGS , WMK030N06HG4 .

History: 2SK545 | 2SK4195LS | AOB12N50L | 2SK4193LS | SPN3400S23RG | 2SK531 | AO3422A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.