WMK175N10HG4 Todos los transistores

 

WMK175N10HG4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMK175N10HG4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 197 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: TO220

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WMK175N10HG4 datasheet

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WMK175N10HG4

WMK175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. S D G Features TO-220 V = 100V, I =

 5.1. Size:604K  way-on
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WMK175N10HG4

WMK175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. S D G Features TO-220 V = 100V, I =

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History: SI9430DY-T1 | IRF7902 | 2SK3833 | SL05N10A | ISL9N306AS3S | BR75N08 | IRF7379

 

 

 

 

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