WMK175N10HG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMK175N10HG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 197 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMK175N10HG4

WMK175N10HG4 Datasheet (PDF)

..1. Size:599K way-on
wmk175n10hg4.pdf

WMK175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 100V, I =

5.1. Size:604K way-on
wmk175n10lg4.pdf

WMK175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 100V, I =

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Liste

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