WMK175N10HG4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMK175N10HG4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 197 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Encapsulados: TO220
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WMK175N10HG4 datasheet
wmk175n10hg4.pdf
WMK175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. S D G Features TO-220 V = 100V, I =
wmk175n10lg4.pdf
WMK175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. S D G Features TO-220 V = 100V, I =
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History: WMJ9N90D1B | SI2315 | VS3628DE-G
History: WMJ9N90D1B | SI2315 | VS3628DE-G
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