Справочник MOSFET. WMK175N10HG4

 

WMK175N10HG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMK175N10HG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 197 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для WMK175N10HG4

 

 

WMK175N10HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:599K  way-on
 wmk175n10hg4.pdf

WMK175N10HG4 WMK175N10HG4

WMK175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 100V, I =

 5.1. Size:604K  way-on
 wmk175n10lg4.pdf

WMK175N10HG4 WMK175N10HG4

WMK175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 100V, I =

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 12N70

 

 
Back to Top