WMK190N03TS Todos los transistores

 

WMK190N03TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMK190N03TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 672 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

WMK190N03TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  way-on
 wmk190n03ts.pdf pdf_icon

WMK190N03TS

WMK190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.Features SDGTO-220 V = 30V, I = 190A DS DR

 7.1. Size:602K  way-on
 wmk190n15hg4.pdf pdf_icon

WMK190N03TS

WMK190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDFeatures GTO-220 V = 150V, I =

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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