WMK190N03TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMK190N03TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 190 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 27 ns
Выходная емкость (Cd): 672 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для WMK190N03TS
WMK190N03TS Datasheet (PDF)
wmk190n03ts.pdf
WMK190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.Features SDGTO-220 V = 30V, I = 190A DS DR
wmk190n15hg4.pdf
WMK190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDFeatures GTO-220 V = 150V, I =
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: TDM3744
