WMK190N15HG4 Todos los transistores

 

WMK190N15HG4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMK190N15HG4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm

Encapsulados: TO220

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WMK190N15HG4 datasheet

 ..1. Size:602K  way-on
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WMK190N15HG4

WMK190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. S D Features G TO-220 V = 150V, I =

 7.1. Size:620K  way-on
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WMK190N15HG4

WMK190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features S D G TO-220 V = 30V, I = 190A DS D R

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