WMK190N15HG4 Todos los transistores

 

WMK190N15HG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMK190N15HG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de WMK190N15HG4 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMK190N15HG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:602K  way-on
 wmk190n15hg4.pdf pdf_icon

WMK190N15HG4

WMK190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDFeatures GTO-220 V = 150V, I =

 7.1. Size:620K  way-on
 wmk190n03ts.pdf pdf_icon

WMK190N15HG4

WMK190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.Features SDGTO-220 V = 30V, I = 190A DS DR

Otros transistores... WMK175N10HG4 , WMK175N10LG4 , WMK180N03TS , WMK18N50D1B , WML18N50D1B , WMJ18N50D1B , WMK18P10TS , WMK190N03TS , 8N60 , WMK220N20HG3 , WMK25N06TS , WMK25N10T1 , WMK28N15T2 , WMK340N20HG2 , WMK4N90D1B , WML4N90D1B , WMM4N90D1B .

History: DSG014N04N | FQU2N60C

 

 
Back to Top

 


 
.