WMK190N15HG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMK190N15HG4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 24.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMK190N15HG4
WMK190N15HG4 Datasheet (PDF)
wmk190n15hg4.pdf
WMK190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDFeatures GTO-220 V = 150V, I =
wmk190n03ts.pdf
WMK190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.Features SDGTO-220 V = 30V, I = 190A DS DR
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Liste
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