WMK190N15HG4 - описание и поиск аналогов

 

WMK190N15HG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMK190N15HG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 148 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для WMK190N15HG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMK190N15HG4 даташит

 ..1. Size:602K  way-on
 wmk190n15hg4.pdf pdf_icon

WMK190N15HG4

WMK190N15HG4 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. S D Features G TO-220 V = 150V, I =

 7.1. Size:620K  way-on
 wmk190n03ts.pdf pdf_icon

WMK190N15HG4

WMK190N03TS 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK190N03TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features S D G TO-220 V = 30V, I = 190A DS D R

Другие MOSFET... WMK175N10HG4 , WMK175N10LG4 , WMK180N03TS , WMK18N50D1B , WML18N50D1B , WMJ18N50D1B , WMK18P10TS , WMK190N03TS , IRFB7545 , WMK220N20HG3 , WMK25N06TS , WMK25N10T1 , WMK28N15T2 , WMK340N20HG2 , WMK4N90D1B , WML4N90D1B , WMM4N90D1B .

History: IRF8736TR | STD2N105K5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.