WMK340N20HG2 Todos los transistores

 

WMK340N20HG2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMK340N20HG2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: TO220

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WMK340N20HG2 datasheet

 ..1. Size:471K  way-on
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WMK340N20HG2

WMK340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. S D G Features TO-220 V = 200V, I =

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