WMK340N20HG2 Todos los transistores

 

WMK340N20HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMK340N20HG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de WMK340N20HG2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WMK340N20HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  way-on
 wmk340n20hg2.pdf pdf_icon

WMK340N20HG2

WMK340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 200V, I =

Otros transistores... WMJ18N50D1B , WMK18P10TS , WMK190N03TS , WMK190N15HG4 , WMK220N20HG3 , WMK25N06TS , WMK25N10T1 , WMK28N15T2 , MMIS60R580P , WMK4N90D1B , WML4N90D1B , WMM4N90D1B , WMK50N06TS , WMK6N90D1 , WML6N90D1 , WMM6N90D1 , WMK75N03T1 .

History: WMM07N60C4 | IRFB59N10D | 50N15 | WMN53N60F2 | IRFB5615

 

 
Back to Top

 


 
.