WMK340N20HG2 Todos los transistores

 

WMK340N20HG2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WMK340N20HG2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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WMK340N20HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  way-on
 wmk340n20hg2.pdf pdf_icon

WMK340N20HG2

WMK340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 200V, I =

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History: IRFY430 | STP4NA80 | CPH6337 | STE36N50-DA | IRF1324S-7PPBF | BRD18P06 | IXTV22N50P

 

 
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