Справочник MOSFET. WMK340N20HG2

 

WMK340N20HG2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMK340N20HG2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMK340N20HG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  way-on
wmk340n20hg2.pdfpdf_icon

WMK340N20HG2

WMK340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 200V, I =

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: GSM8822 | NTZD3158P | VBFB2317 | SJMN088R65FD | TSM3911DCX6 | HUFA75321D3S | YJL03N06A

 

 
Back to Top

 


 
.