WMK340N20HG2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMK340N20HG2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 173.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 141 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.034 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для WMK340N20HG2
WMK340N20HG2 Datasheet (PDF)
..1. Size:471K way-on
wmk340n20hg2.pdf
wmk340n20hg2.pdf
WMK340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 200V, I =
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
