WMK50N06TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMK50N06TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 69.4 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 46 nC
   Tiempo de subida (tr): 21.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMK50N06TS

WMK50N06TS Datasheet (PDF)

..1. Size:443K way-on
wmk50n06ts.pdf

WMK50N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK50N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SFeatures DGTO-220 V = 60V, I = 50A DS D R

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: