WMK50N06TS - аналоги и даташиты транзистора

 

WMK50N06TS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WMK50N06TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для WMK50N06TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMK50N06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:443K  way-on
 wmk50n06ts.pdf pdf_icon

WMK50N06TS

WMK50N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK50N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SFeatures DGTO-220 V = 60V, I = 50A DS D R

Другие MOSFET... WMK220N20HG3 , WMK25N06TS , WMK25N10T1 , WMK28N15T2 , WMK340N20HG2 , WMK4N90D1B , WML4N90D1B , WMM4N90D1B , 5N50 , WMK6N90D1 , WML6N90D1 , WMM6N90D1 , WMK75N03T1 , WMK7N65D1B , WMH7N65D1B , WML7N65D1B , WMO7N65D1B .

History: IXFT30N50 | WMK4N90D1B | H5N60U | IRF821 | H5N60P | WMK190N15HG4 | KDS2572

 

 
Back to Top

 


 
.