Справочник MOSFET. WMK50N06TS

 

WMK50N06TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMK50N06TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
   Время нарастания (tr): 21.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 120 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для WMK50N06TS

 

 

WMK50N06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:443K  way-on
 wmk50n06ts.pdf

WMK50N06TS WMK50N06TS

WMK50N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK50N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SFeatures DGTO-220 V = 60V, I = 50A DS D R

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top