WMK50N06TS - описание и поиск аналогов

 

WMK50N06TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMK50N06TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для WMK50N06TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMK50N06TS даташит

 ..1. Size:443K  way-on
 wmk50n06ts.pdf pdf_icon

WMK50N06TS

WMK50N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK50N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S Features D G TO-220 V = 60V, I = 50A DS D R

Другие MOSFET... WMK220N20HG3 , WMK25N06TS , WMK25N10T1 , WMK28N15T2 , WMK340N20HG2 , WMK4N90D1B , WML4N90D1B , WMM4N90D1B , IRFP064N , WMK6N90D1 , WML6N90D1 , WMM6N90D1 , WMK75N03T1 , WMK7N65D1B , WMH7N65D1B , WML7N65D1B , WMO7N65D1B .

History: SI1016CX | STD15NF10 | PJM3407PSA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.