Справочник MOSFET. WMK50N06TS

 

WMK50N06TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMK50N06TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для WMK50N06TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMK50N06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:443K  way-on
 wmk50n06ts.pdf pdf_icon

WMK50N06TS

WMK50N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK50N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SFeatures DGTO-220 V = 60V, I = 50A DS D R

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXFH6N100

 

 
Back to Top

 


 
.